Wannier Diagrams for Semiconductor Artificial Graphene

Переведенное название: Диаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена

O. A. Tkachenko, V. A. Tkachenko, D. G. Baksheev, O. P. Sushkov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Промоделирован квантовый транспорт в полупроводниковых гексагональных решетках антиточек с периодом 80 нм и коротковолновым беспорядком. Вычислены карты плотности состояний DoS как функции от напряженности магнитного поля B и концентрации электронов n (диаграммы Ванье) для нескольких амплитуд модуляции потенциала, сравнимых или существенно больше энергии Ферми. Глубокие провалы плотности состояний на картах имеют вид лучей положительного, нулевого и отрицательного наклона. Помимо веера лучей, разделяющих первый и второй, второй и третий уровни Ландау, на картах есть лучи им параллельные, сдвинутые по вертикали и горизонтали на целое число характерных значений концентрации n0 и магнитного поля B0. Показано, что знак и величина наклона лучей DoS соответствуют центрам плато квантованных холловских сопротивлений Rxy . Яркими проявлениями решетки на картах Rxy (n, B) являются реплики первого и второго плато Rxy и осцилляции Rxy между отрицательными и положительными значениями при фиксированном магнитном поле или концентрации, что говорит о смене дырочного и электронного типа носителей.
Переведенное названиеДиаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)638-642
Число страниц5
ЖурналJETP Letters
Том116
Номер выпуска9
DOI
СостояниеОпубликовано - нояб. 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Диаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать