Vibrational and Light-Emitting Properties of Si/Si1−xSn x Heterostructures

V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Multilayer heterostructures Si/Si1−xSnx grown by molecular beam epitaxy on Si (001) substrates have been studied by Raman and photoluminescence spectroscopy. Raman spectra exhibit peaks corresponding to the vibrations of Si-Sn and Sn-Sn bonds; the vibrations of Sn-Sn bonds imply the presence of tin nanocrystals in heterostructures. Two photoluminescence bands at 0.75 eV (1650 nm) and 0.65 eV (1900 nm) have been observed in heterostructures at low temperatures. The former band can be attributed to optical transitions in quantum wells in the type II heterostructure Si/Si1−xSnx. The latter band can be associated with excitons localized in tin nanocrystals.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)368-371
Число страниц4
ЖурналJETP Letters
Том109
Номер выпуска6
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мар 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Vibrational and Light-Emitting Properties of Si/Si<sub>1−x</sub>Sn<sub> x</sub> Heterostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать