Vertical Ordering of Amorphous Ge Nanoclusters in Multilayer a-Ge/a-Si:H Heterostructures

G. N. Kamaev, V. A. Volodin, G. K. Krivyakin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

We have studied a multilayer heteronanostructure comprising three pairs of amorphous silicon and amorphous germanium (a-Ge/a-Si:H) layers grown at 225°C on a silicon substrate by the method of low-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition. The phase composition of silicon and germanium layers was determined by Raman spectroscopy, which showed that the layers are completely amorphous. Transmission electron microscopy images revealed the presence of amorphous Ge nanoclusters ordered in the vertical direction, the formation of which was initiated by local nanometer-scale inhomogeneities in the first Ge layer, the lateral dimensions of which grow on the passage from bottom to top layer.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)609-612
Число страниц4
ЖурналTechnical Physics Letters
Том47
Номер выпуска8
DOI
СостояниеОпубликовано - авг. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Vertical Ordering of Amorphous Ge Nanoclusters in Multilayer a-Ge/a-Si:H Heterostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать