Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents

A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, V. V. Murashov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Химические соединения

Технические дисциплины и материаловедение

Физика и астрономия

Chemistry and Materials

Physics

Engineering

Mathematical and Computer Sciences

Aerospace Sciences

General