Universality of the (113) Habit Plane in Si for Mixed Aggregation of Vacancies and Self-Interstitial Atoms Provided by Topological Bond Defect Formation

L. I. Fedina, A. K. Gutakovskii, Alexander V. Latyshev, Alexander L. Aseev

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаярецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Universality of the (113) Habit Plane in Si for Mixed Aggregation of Vacancies and Self-Interstitial Atoms Provided by Topological Bond Defect Formation». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Физика и астрономия