Undoped High-Resistance GaN Buffer Layer for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors

T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya Ber, D. Yu Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья

Аннотация

It is shown that intentionally undoped high-resistance GaN buffer layers in AlGaN/GaN heterostructures with high electron mobility for transistors can be formed by ammonia molecular beam epitaxy. The GaN growth conditions have been optimized using calculations of the background impurity and point defect concentrations at different ratios of the gallium and ammonia fluxes.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)761-764
Число страниц4
ЖурналTechnical Physics Letters
Том45
Номер выпуска8
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 авг 2019

Доступ к документу

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Undoped High-Resistance GaN Buffer Layer for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

    • Цитировать

    Malin, T. V., Milakhin, D. S., Aleksandrov, I. A., Zemlyakov, V. E., Egorkin, V. I., Zaitsev, A. A., Protasov, D. Y., Kozhukhov, A. S., Ber, B. Y., Kazantsev, D. Y., Mansurov, V. G., & Zhuravlev, K. S. (2019). Undoped High-Resistance GaN Buffer Layer for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors. Technical Physics Letters, 45(8), 761-764. https://doi.org/10.1134/S1063785019080108