Type-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

Type-I indirect-gap heterostructures are convenient objects for studying the spin dynamics of localized excitons, which are difficult to investigate in heterostructures of other types. It is shown that structures with such an energy spectrum can be formed from III-V binary compounds on substrates with the (110) orientation. The effect of the strain distribution and conduction-band structure in quasimomentum space on the energy spectrum of electronic states in the heterostructures is discussed.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)703-710
Число страниц8
ЖурналSemiconductors
Том53
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мая 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Type-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать