Transformation of N-Polar Inversion Domains from AlN Buffer Layers during the Growth of AlGaN Layers

Переведенное название: Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN

I. V. Osinnykh, T. V. Malin, A. S. Kozhukhov, B. Ya Ber, D. Yu Kazancev, K. S. Zhuravlev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Методами атомно-силовой микроскопии и динамической вторично-ионной масс-спектрометрии были исследованы структурные свойства и структурное совершенство выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака AlxGa1-xN/AlN/Al2O3 гетероструктур с высокой концентрацией кремния в слоях AlxGa1-xN : Si. Показано, что в случае, если буферные слои AlN металлической полярности содержат инверсионные домены азотной полярности, при последующем росте слоев AlxGa1-xN : Si инверсионные домены не прорастают до поверхности, а меняют азотную полярность на металлическую. На месте инверсионных доменов AlN растут уширяющиеся колонны AlxGa1-xN металлической полярности, которые срастаются с окружающей их матрицей металлической полярности в однородную пленку. Толщина, на которой происходит полное срастание, увеличивается с увеличением содержания Al в слоях.
Переведенное названиеТрансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN
Язык оригиналаанглийский
ЖурналSemiconductors
DOI
СостояниеПринято в печать - 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Цитировать