Topology of PbSnTe:In Layers Versus Indium Concentration

D. V. Ishchenko, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, A. E. Klimov, A. B. Loginov, B. A. Loginov, N. S. Pashchin, A. S. Tarasov, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

The surface topology of epitaxial films of lead tin telluride solid solution (including with In additive, Pb1 –xSnxTe:In) has been examined using atomic force microscopy. The films have been grown on BaF2(111) single-crystal substrates and on a CaF2/BaF2 buffer layer covering a Si(111) wafer. It has been shown that the relief statistical parameters depend on film growth conditions and the incorporation mechanism of indium, an excess amount of which has been detected on the surface by ex situ XPS.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)878-882
Число страниц5
ЖурналTechnical Physics
Том66
Номер выпуска7
DOI
СостояниеОпубликовано - июл. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Topology of PbSnTe:In Layers Versus Indium Concentration». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать