Thermal Hysteresis in the Resistance of In2Se3Film on Si(111) Surface

Sergei Ponomarev, Dmitry Rogilo, Alexey Mironov, Dmitry Sheglov, Alexander Latyshev

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

Properties of layered In2Se3 films grown on the Si(111) surface have been studied by in situ reflection electron microscopy. After the growth of 3-5 nm, the growth switches from layer-by-layer mode to the nucleation of 3D islands. Lateral dimensions of the islands increased from 310 to 410 nm when growth rate reduces from 0.02 nm/s to 0.007 nm/s. The electrical resistance of the In2Se3 films rises with 0.26 eV activation energy during cooling which corresponds to intrinsic β-In2Se3 phase having bandgap around 0.53 eVe At about 140 K, film's resistance decreases sharply by 104 times. The reverse transition occurs during heating to temperatures above 180 K. This hysteresis corresponds to a reversible structural transition β-In2Se3 ⇔ β'-In2Se3 observed previously in the 140-180 K range by scanning tunneling microscopy [ACS Nano 2 (2019) 10 6774-6782].

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикации2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021 - Proceedings
ИздательIEEE Computer Society
Страницы50-53
Число страниц4
ISBN (электронное издание)9781665414982
DOI
СостояниеОпубликовано - 30 июн 2021
Событие22nd IEEE International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021 - Aya, Altai Region, Российская Федерация
Продолжительность: 30 июн 20214 июл 2021

Серия публикаций

НазваниеInternational Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM
Том2021-June
ISSN (печатное издание)2325-4173
ISSN (электронное издание)2325-419X

Конференция

Конференция22nd IEEE International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021
СтранаРоссийская Федерация
ГородAya, Altai Region
Период30.06.202104.07.2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.02.IQ ИНЖЕНЕРИЯ, ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ
  • 1.03.UH ФИЗИКА, АТОМНАЯ, МОЛЕКУЛЯРНАЯ И ХИМИЧЕСКАЯ
  • 1.03.SY ОПТИКА

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Thermal Hysteresis in the Resistance of In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>Film on Si(111) Surface». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать