The regularities of phase formation in Fe3Si(111)/Si(111) structure at vacuum annealing

M. N. Volochaev, I. A. Tarasov, Yu Yu Loginov, A. G. Cherkov, I. V. Kovalev

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференции

    3 Цитирования (Scopus)

    Аннотация

    The regularities of phase formation and thermal stability in Fe3Si(111)/Si(111) structure at stepped vacuum annealing (350, 450 and 550 °C) were investigated. The layer of 32 nm Fe3Si was deposited onto Si(111) substrate by molecular beam epitaxy at 260 °C. Transmission electron microscopy (TEM) measurements demonstrated that the film thickness increases by ∼19 % at 350 °C annealing without changing the phase composition. The polycrystalline -FeSi sublayer was formed on the interface at 450 °C annealing. Further annealing at 550 °C led to the ∼ 80 nm polycrystalline film formation containing the crystallites of -FeSi, Fe5Si3, and β-FeSi2 phases.

    Язык оригиналаанглийский
    Номер статьи012053
    Число страниц3
    ЖурналJournal of Physics: Conference Series
    Том857
    Номер выпуска1
    DOI
    СостояниеОпубликовано - 1 июн 2017

    Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «The regularities of phase formation in Fe<sub>3</sub>Si(111)/Si(111) structure at vacuum annealing». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

    Цитировать