The initial stages of atomic force microscope based local anodic oxidation of silicon

A. S. Kozhukhov, D. V. Scheglov, L. I. Fedina, A. V. Latyshev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

In this paper, the initial stages of local anodic oxidation (LAO) process initiated by AFM probe are studied on the wide (∼100μm) terraces of the atomic-smooth Si (111) surface when creating dense array of local oxidation points. The dependence of LAO points height on the value of voltage initiating the oxidation is found to have a pronounced step-like feature with a characteristic period of 0.7 ± 0.1 nm. The presented analysis shows for the first time the realization of the step-layer mechanism of anodic oxide growth on the Si (111) surface.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи025113
Число страниц6
ЖурналAIP Advances
Том8
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 фев 2018

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «The initial stages of atomic force microscope based local anodic oxidation of silicon». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать