The Influence of the InAlAs Layer Surface Morphology on the Temperature Dependence of Parameters of Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky Diodes

I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

Growth-related structural defects present on the surface of InAlAs layers grown by molecular beam epitaxy on InP(001) substrates influence the temperature dependences of the current–voltage characteristics of Au/Ti/InAlAs Schottky barriers. It is established that these defects in the form of pits cause the appearance of regions with reduced barrier height. At a surface density of ≥10 7 cm –2 , these defects significantly influence the parameters of the Schottky barriers at temperatures below 200 K.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)180-184
Число страниц5
ЖурналTechnical Physics Letters
Том45
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 фев 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «The Influence of the InAlAs Layer Surface Morphology on the Temperature Dependence of Parameters of Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky Diodes». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать