The increase in band bending at the p-GaN(Cs) - Vacuum interface due to the photoemission from surface states

S. A. Rozhkov, V. V. Bakin, S. N. Kosolobov, H. E. Scheibler, A. S. Terekhov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференции

Аннотация

The photoelectron processes in a p-GaN(Cs) photocathode with the effective negative electron affinity were studied experimentally within the 90-295 K temperature range. It was found that the photocathode illumination at the photon energies, which are below the energy gap of the p-GaN layer, increases the band bending at a semiconductor surface due to the photoemission from surface states.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012008
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том1482
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мар 2020
Событие21st Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, RYCPS 2019 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 25 ноя 201929 ноя 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «The increase in band bending at the p-GaN(Cs) - Vacuum interface due to the photoemission from surface states». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать