The Effect of Fluorine on the Density of States at the Anodic Oxide Layer/In0.53Ga0.47As Interface

M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, A. P. Kovchavtsev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

It is shown that the fluorine-containing anodic layers at the n-In0.53Ga0.47As surface, in contrast to the fluorine-free anodic layers, form a SiO2/InGaAs interface with the unpinned Fermi level, where the density of states decreases upon annealing at a temperature of 300°C to (2–4) × 1011 and (4–5) × 1012 eV–1 cm–2 near the bottom of the conduction band and the center of the band gap, respectively. An increase in the annealing temperature leads to a reverse increase in the density of states (350°C) and pinning of the Fermi level (400°C).

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)478-481
Число страниц4
ЖурналTechnical Physics Letters
Том47
Номер выпуска6
DOI
СостояниеОпубликовано - июн. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ГРНТИ

  • 29 ФИЗИКА

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «The Effect of Fluorine on the Density of States at the Anodic Oxide Layer/In0.53Ga0.47As Interface». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать