The dependence of surface morphology on the growth temperature of the Pb0.7Sn0.3Te/Si(111) topological insulator thin films

A. K. Kaveev, D. N. Bondarenko, O. E. Tereshchenko

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференциирецензирование

Аннотация

The possibility of epitaxial growth of Pb0.7Sn0.3Te crystalline topological insulator films on the Si(111) surface was shown and epitaxial relations were found. It was shown that, depending on the growth temperature, it is possible to control not only the character of the morphology, but also, to a significant extent, the smoothness of the epitaxial layer surface, which is extremely important for further transport measurements of the films. Analysis of the grown films surface morphology made it possible to establish the average value of the height and lateral size of the terraces and islands forming Pb0.7Sn0.3Te surface.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012086
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том2103
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 14 дек 2021
СобытиеInternational Conference PhysicA.SPb/2021 - Saint Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 18 окт 202122 окт 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «The dependence of surface morphology on the growth temperature of the Pb0.7Sn0.3Te/Si(111) topological insulator thin films». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать