The DA-pHEMT heterostructures for power microwave transistors

K. S. Zhuravlev, D. Yu Protasov, D. V. Gulyaev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

The structural, transport and optical properties of DA-pHEMT heterostructures are considered. Despite the high 2DEG density (~4×1012 cm-2), parallel conductance is almost lacking in DA-pHEMT heterostructures: the electron density in the parallel conducting layer does not exceed 11% of the 2DEG density, and the electron mobility is lower than the 2DEG mobility by a factor of more than 2.5. It was determined that the beryllium concentration in the undoped InGaAs QW does not exceed 2×016 cm-3 in spite of the Be segregation from the p+-doped barriers during the epitaxy growth. The results of the development of powerful DA-pHEMT are presented. Transistors with a gate length of 0.4-0.5 μm and a total gate width of 0.8 mm at a frequency of 10 GHz have a gain of more than 9 dB, an output power density of more than 1.6 W/mm, a power added efficiency up to 50%.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикации2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings
ИздательInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Число страниц3
ISBN (электронное издание)9781728107165
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мая 2019
Событие2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Guangzhou, Китай
Продолжительность: 19 мая 201922 мая 2019

Серия публикаций

Название2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings

Конференция

Конференция2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019
СтранаКитай
ГородGuangzhou
Период19.05.201922.05.2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «The DA-pHEMT heterostructures for power microwave transistors». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Zhuravlev, K. S., Protasov, D. Y., Gulyaev, D. V., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., Lapin, V. G., Lukashin, V. M., & Pashkovskii, A. B. (2019). The DA-pHEMT heterostructures for power microwave transistors. В 2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings [8804008] (2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.. https://doi.org/10.1109/IEEE-IWS.2019.8804008