The charge trap density evolution in wake-up and fatigue modes of FRAM

Damir R. Islamov, O. M. Orlov, V. A. Gritsenko, G. Ja Krasnikov

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

We study the transport properties in different modes of FRAM elements based on ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 thin films. The leakage currents in Hf0.5Zr0.5O2 are described by phonon-assisted tunneling between traps. Comparison experimental data with results of the simulations allows us to extract the evaluation of the charge trap density during endurance. A hypothesis about role of oxygen vacancies in fatigue is discussed.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииSEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR
РедакторыD Misra, S DeGendt, M Houssa, K Kita, D Landheer
ИздательElectrochemical Society, Inc.
Страницы279-281
Число страниц3
Том80
Издание1
ISBN (электронное издание)9781607685395
ISBN (печатное издание)978-1-62332-470-4
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2017
Событие15th Symposium on Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics: In Memory of Samares Kar - 232nd ECS Meeting - National Harbor, Соединенные Штаты Америки
Продолжительность: 1 окт 20175 окт 2017

Серия публикаций

НазваниеECS Transactions
ИздательELECTROCHEMICAL SOC INC
Том80
ISSN (печатное издание)1938-5862

Конференция

Конференция15th Symposium on Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics: In Memory of Samares Kar - 232nd ECS Meeting
СтранаСоединенные Штаты Америки
ГородNational Harbor
Период01.10.201705.10.2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «The charge trap density evolution in wake-up and fatigue modes of FRAM». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать