Surface Polaritons in Silicon-Doped Aluminum and Gallium Nitride Films

N. N. Novikova, V. A. Yakovlev, S. A. Klimin, T. V. Malin, A. M. Gilinsky, K. S. Zhuravlev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

Abstract: The reflection and attenuated total reflection spectra of aluminum and gallium nitride films doped with silicon on sapphire substrates with a buffer layer of aluminum nitride have been measured. In the spectra of attenuated total reflection, surface phonon and plasmon–phonon polaritons were observed. A high concentration of charge carriers in the gallium nitride film and their practical absence in the aluminum nitride film were experimentally observed.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)36-39
Число страниц4
ЖурналOptics and Spectroscopy
Том127
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 июл 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Surface Polaritons in Silicon-Doped Aluminum and Gallium Nitride Films». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать