Surface photovoltage in a p-GaN(Cs) photocathode

S. A. Rozhkov, V. V. Bakin, D. V. Gorshkov, S. N. Kosolobov, H. E. Scheibler

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференциирецензирование

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Temperature and optical power density dependences of the photovoltage at a p-GaN(Cs) photocathode surface were measured in the temperature range 90-295 K. The study demonstrated that band bending at the p-GaN(Cs) photocathode surface can be reduced by ∼ 0.5 eV without modifying the surface atomic structure. The surface photovoltage impact on the p-GaN(Cs) photocathode quantum efficiency and photoelectron energy distributions was analyzed.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012031
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том1199
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 17 апр 2019
Событие20th Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Optoand Nanoelectronics, RYCPS 2018 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 26 ноя 201830 ноя 2018

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Surface photovoltage in a p-GaN(Cs) photocathode». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать