Structure evolution and charge hysteresis in buried Hafnia-Alumina oxides

V. P. Popov, F. V. Tikhonenko, V. A. Antonov, K. A. Tolmachev, A. A. Lomov, A. V. Miakonkikh, K. V. Rudenko

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Analysis of the high-k buried oxide phase evolution by the X-ray study, pseudo-MOSFET and CV measurements was used to separate the ferroelectric and interface dipole polarization, and charge trapping up to 300 °C. The thermal budgets during the rapid thermal annealing (RTA) 30 s at temperatures 600 to 1000 °C were established for different hafnia based stacks to ensure the recrystallization of HfO2 layers and preservation of ferroelectric hysteresis. The highest hysteresis was obtained at the RTA stepwise temperature increase to 900 °C for the stack with supercicles HfO2:Al2O3 (10:1).

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи108348
ЖурналSolid-State Electronics
Том194
DOI
СостояниеОпубликовано - авг. 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.02 ЭЛЕКТРОТЕХНИКА, ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
  • 2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Structure evolution and charge hysteresis in buried Hafnia-Alumina oxides». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать