Structural transformation of the BiSbTeSe2 topological insulator during Co laser MBE deposition

A. K. Kaveev, S. M. Suturin, V. A. Golyashov, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференциирецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The studies of the structural transformation of BiSbTeSe2 topological insulator during Co deposition were carried out. It was shown that Co, being deposited on BiSbTeSe2(0001) at 330°C, substantially modifies topmost part of the substrate. Reciprocal space mapping studies using RHEED data analysis reveal formation of the well-ordered layer with the modified composition and crystalline structure. It was found that this layer consists of three orthorhombic structural domains oriented at 120° to each other. Each domain has Pmnn space group characteristic fot CoTexSe2-x. The lattice parameters and epitaxial relations were found.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи055016
Число страниц4
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том1400
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 11 дек 2019
СобытиеInternational Conference PhysicA.SPb 2019 - Saint Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 22 окт 201924 окт 2019

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Structural transformation of the BiSbTeSe<sub>2</sub> topological insulator during Co laser MBE deposition». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать