Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 μ m

S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, M. S. Zholudev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, A. M. Kadykov, A. A. Dubinov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, V. I. Gavrilenko

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

27 Цитирования (Scopus)

Аннотация

We report on stimulated emission at wavelengths up to 19.5 μm from HgTe/HgCdTe quantum well heterostructures with wide gap HgCdTe dielectric waveguide, grown by molecular beam epitaxy on GaAs(013) substrates. The mitigation of Auger processes in structures under study is exemplified, and the promising routes towards the 20-50 μm wavelength range, where HgCdTe lasers may be competitive to the prominent emitters, are discussed.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи192101
Число страниц5
ЖурналApplied Physics Letters
Том111
Номер выпуска19
DOI
СостояниеОпубликовано - 6 ноя 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 μ m». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Morozov, S. V., Rumyantsev, V. V., Fadeev, M. A., Zholudev, M. S., Kudryavtsev, K. E., Antonov, A. V., Kadykov, A. M., Dubinov, A. A., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., & Gavrilenko, V. I. (2017). Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 μ m. Applied Physics Letters, 111(19), [192101]. https://doi.org/10.1063/1.4996966