Аннотация

The paper demonstrates spectral enhancement of Raman pulses converted from 50-ps pulses from a semiconductor laser. Narrow periodic spikes in the optical spectrum of the laser pulses were eliminated in the Raman pulse spectrum due to the averaging effect of stimulated Raman scattering. Reliable and precise tuning of the repetition rate of the laser pulse train provided by external triggering of a semiconductor source allowed tuning the optical spectrum of Raman pulses in a wide range of 1207-1276 nm. The average Raman pulse power was 350 mW.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииProceedings - International Conference Laser Optics 2020, ICLO 2020
ИздательInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN (электронное издание)9781728152332
DOI
СостояниеОпубликовано - 2 ноя 2020
Событие2020 International Conference Laser Optics, ICLO 2020 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 2 ноя 20206 ноя 2020

Серия публикаций

НазваниеProceedings - International Conference Laser Optics 2020, ICLO 2020

Конференция

Конференция2020 International Conference Laser Optics, ICLO 2020
СтранаРоссийская Федерация
ГородSt. Petersburg
Период02.11.202006.11.2020

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Spectral enhancement of ps pulses in phosphor-silicate Raman oscillator». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать