Silicon Nanopillar Microarrays: Formation and Resonance Reflection of Light

L. S. Basalaeva, Yu V. Nastaushev, F. N. Dultsev, N. V. Kryzhanovskaya, E. I. Moiseev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

The results of investigating the spectral characteristics of reflection from silicon nanopillar (Si NP) microarrays in the wavelength region from 400 to 1100 nm are presented. The Si nanopillars are formed by electron lithography on a negative resist with subsequent reactive ion etching. The Si nanopillars are etched through a resist mask and SiO2 100 nm thick. In the spectra of reflection from nanopillar microarrays, minima are observed, the position of which depends strongly on the Si nanopillar diameter.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)205-209
Число страниц5
ЖурналSemiconductors
Том53
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 фев 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Silicon Nanopillar Microarrays: Formation and Resonance Reflection of Light». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Basalaeva, L. S., Nastaushev, Y. V., Dultsev, F. N., Kryzhanovskaya, N. V., & Moiseev, E. I. (2019). Silicon Nanopillar Microarrays: Formation and Resonance Reflection of Light. Semiconductors, 53(2), 205-209. https://doi.org/10.1134/S1063782619020027