Silicon-Based Nanoheterostructures With Quantum Dots

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаярецензирование

Аннотация

This review describes recent developments in fabrication of self-assembled Ge/Si quantum dot heterostructures with molecular beam epitaxy, quantum-dot electronic configuration, charge transport, optical, and spin phenomena. We are focusing on the fundamental aspects and device applications of the dots with small (~10.nm) sizes.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииAdvances in Semiconductor Nanostructures
Подзаголовок основной публикацииGrowth, Characterization, Properties and Applications
РедакторыAV Latyshev, AV Dvurechenskii, AL Aseev
ИздательElsevier Science Inc.
Страницы59-99
Число страниц41
ISBN (электронное издание)9780128105139
ISBN (печатное издание)9780128105122
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Silicon-Based Nanoheterostructures With Quantum Dots». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Dvurechenskii, A. V., & Yakimov, A. I. (2017). Silicon-Based Nanoheterostructures With Quantum Dots. В AV. Latyshev, AV. Dvurechenskii, & AL. Aseev (Ред.), Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications (стр. 59-99). Elsevier Science Inc.. https://doi.org/10.1016/B978-0-12-810512-2.00004-4