Sign-Alternating Photoconductivity in PbSnTe:In Films in the Space-Charge-Limited Current Regime

A. N. Akimov, I. O. Akhundov, D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, I. G. Neizvestny, N. S. Paschin, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

The dependence of the photoconductivity sign on the bias voltage, intensity, and duration of illumination is studied for PbSnTe:In films in the space-charge-limited current regime. The role of traps (including surface ones) with a complex energy spectrum in the effects under observation is discussed.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)951-955
Число страниц5
ЖурналSemiconductors
Том54
Номер выпуска8
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 авг 2020

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Sign-Alternating Photoconductivity in PbSnTe:In Films in the Space-Charge-Limited Current Regime». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Klimov, A. E., Neizvestny, I. G., Paschin, N. S., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Tereshchenko, O. E., Fedosenko, E. V., & Sherstyakova, V. N. (2020). Sign-Alternating Photoconductivity in PbSnTe:In Films in the Space-Charge-Limited Current Regime. Semiconductors, 54(8), 951-955. https://doi.org/10.1134/S1063782620080035