Shapes of the micron-sized SiGe islands grown on Si(100) in Dewetting Conditions

Anastasia E. Budazhapova, Alexander A. Shklyaev

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The shape of the islands formed during the Ge deposition on Si(100) surfaces in dewetting conditions is analyzed on the basis of surface layer energy minimization. An analytical expression for the total energy is derived for the sphere segment-shaped islands with contact angles up to 180° with respect to the substrate. It is found that the island shape is determined by the balance between the surface energy of the Si substrate areas located around the islands and the elastic energy of the areas around the island/substrate interface.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикации2018 19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2018 - Proceedings
ИздательIEEE Computer Society
Страницы16-18
Число страниц3
Том2018-July
ISBN (печатное издание)9781538650219
DOI
СостояниеОпубликовано - 13 авг 2018
Событие19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2018 - Erlagol, Altai, Российская Федерация
Продолжительность: 29 июн 20183 июл 2018

Конференция

Конференция19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2018
СтранаРоссийская Федерация
ГородErlagol, Altai
Период29.06.201803.07.2018

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Shapes of the micron-sized SiGe islands grown on Si(100) in Dewetting Conditions». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать