Self-catalyzed GaAs Nanowire Growth at Alternate Arsenic Flux

Pavel V. Shipulin, Alla G. Nastovjak, Nataliya L. Shwartz

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

Monte Carlo simulation of GaAs nanowires MBE pulse growth was carried out. The arsenic flux pulse durations and the pauses between pulses were analyzed for optimizing growth conditions. To increase the axial wire growth rate at the initial stage the regime of additional arsenic flux modulation was considered. Growth in a high arsenic flux was proposed to start and stepwise reduce it during the growth process. This approach made it possible to increase the lifetime of a seed droplet at the nanowire top at a high crystal growth rate at the initial stage of growth.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикации2020 21st International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2020
ИздательIEEE Computer Society
Страницы32-35
Число страниц4
ISBN (электронное издание)9781728168463
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 июн 2020
Событие21st International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2020 - Chemal, Российская Федерация
Продолжительность: 29 июн 20203 июл 2020

Серия публикаций

НазваниеInternational Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM
Том2020-June
ISSN (печатное издание)2325-4173
ISSN (электронное издание)2325-419X

Конференция

Конференция21st International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2020
СтранаРоссийская Федерация
ГородChemal
Период29.06.202003.07.2020

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Self-catalyzed GaAs Nanowire Growth at Alternate Arsenic Flux». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать