Relaxation of the electric current in Si3N4: Experiment and numerical simulation

Yu N. Novikov, V. A. Gritsenko

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

The relaxation of the electric current in a metal–nitride–oxide–semiconductor structure has been measured experimentally. The experiment has been compared with the calculation based on the two-band conduction model and the multiphonon mechanism of the ionization of traps. The upper estimate obtained for the recombination cross section from the comparison of the experiment with the calculation is found to be 5 × 10–13 cm2.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)47-52
Число страниц6
ЖурналPhysics of the Solid State
Том59
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Relaxation of the electric current in Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>: Experiment and numerical simulation». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать