Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications

V. Ya Aleshkin, A. A. Dubinov, V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, O. L. Domnina, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, F. Teppe, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

6 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Radiative recombination is studied in CdHgTe/HgTe QWs with bandgap in the 40-140 meV range using four-band Kane model. Calculated radiative lifetimes agree well with the photoconductivity kinetics measurements. We show that the side maxima in the valence band hinder the radiative recombination at high carrier concentrations and discuss how to overcome this effect for the development of long-wavelength lasers.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи495301
Страницы (с-по)495301
Число страниц6
ЖурналJournal of Physics Condensed Matter
Том30
Номер выпуска49
DOI
СостояниеОпубликовано - 12 дек 2018

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Aleshkin, V. Y., Dubinov, A. A., Rumyantsev, V. V., Fadeev, M. A., Domnina, O. L., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., Teppe, F., Gavrilenko, V. I., & Morozov, S. V. (2018). Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications. Journal of Physics Condensed Matter, 30(49), 495301. [495301]. https://doi.org/10.1088/1361-648X/aaebf5