Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping

P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. E. Zakrevsky, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Spectral characteristics of spontaneous and stimulated luminescence have been studied for molecular beam epitaxy synthesized AlxGa1–xN/AlN solid solutions with x = 0.5 and 0.74 upon optical pumping by pulse laser radiation with λ = 266 nm. Broadband radiation spectra with a width of ~260 THz for Al0.5Ga0.5N and ~360 THz for Al0.74Ga0.26N have been obtained. The measured enhancement factors are g ≈ 70 cm–1 for Al0.5Ga0.5N at λ ≈ 528 nm and g ≈ 20 cm–1 for Al0.74Ga0.26N at λ ≈ 468 nm.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)46-49
Число страниц4
ЖурналTechnical Physics Letters
Том43
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать