Properties of intensive defect-related band in photoluminescence spectra of heavily doped AlxGa1-xN: Si layers

I. V. Osinnykh, T. V. Malin, V. F. Plyusnin, K. S. Zhuravlev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Properties of intensive defect-related band in photoluminescence spectra of heavily doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N: Si layers». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Физика и астрономия