Picosecond infrared laser crystallization of Ge layers in Ge/Si multi-nanolayers for optoelectronic applications

V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, A. V. Bulgakov, Y. Levy, J. Beránek, S. Nagisetty, Z. Bryknar, N. M. Bulgakova, P. V. Geydt, A. A. Popov

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

Аннотация

The processes involved in picosecond infrared pulsed laser annealing of multylayer structures consisting of alternating thin films of amorphous silicon and germanium were investigated. The films were fabricated by plasma-chemical deposition on Si(001) and glass substrates. An analysis of structural transformation of Ge/Si multi-nanolayers was performed using Raman spectroscopy. Regimes of annealing were found when the Ge layers are partially crystallized while the Si layers remain amorphous without noticeable intermixing of Ge and Si. The developed approach can be used for creation of GeSi solid alloys (which can be used in memristors on not refractive substrates) and also for creation of Si based p-i-n structures on non-refractory substrates with Ge nanoclusters in i-layer, that can enhance the efficiency of thin film solar cells.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииInternational Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021
РедакторыVladimir F. Lukichev, Konstantin V. Rudenko
ИздательSPIE
ISBN (электронное издание)978-151065190-6
DOI
СостояниеОпубликовано - 2022
Событие14th International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021, ICMNE 2021 - Zvenigorod, Российская Федерация
Продолжительность: 4 окт. 20218 окт. 2021

Серия публикаций

НазваниеProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Том12157
ISSN (печатное издание)0277-786X
ISSN (электронное издание)1996-756X

Конференция

Конференция14th International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021, ICMNE 2021
Страна/TерриторияРоссийская Федерация
ГородZvenigorod
Период04.10.202108.10.2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ
  • 2.11.XQ СПЕКТРОСКОПИЯ
  • 2.02.IQ ИНЖЕНЕРИЯ, ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Picosecond infrared laser crystallization of Ge layers in Ge/Si multi-nanolayers for optoelectronic applications». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать