Photovoltage measurement by modulated photoemission on the p-GaAs surface with cesium overlayers

V. S. Khoroshilov, D. E. Protopopov, D. M. Kazantsev, A. G. Zhuravlev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференции

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

A contactless two-beam modulated photoemission technique for measuring the photovoltage on the surface of highly doped semiconductors is proposed and verified for the p+-GaAs surface with adsorbed Cs. The surface photovoltage evolution under the Cs deposition on the highly doped p+-GaAs surface is compared with that observed on Cs/UP+-structures by the photoreflectance spectroscopy method. The pump intensity dependence of the photovoltage is measured. This allows us to determine the absolute photovoltage values.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012013
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том1482
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мар 2020
Событие21st Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, RYCPS 2019 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 25 ноя 201929 ноя 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Photovoltage measurement by modulated photoemission on the p-GaAs surface with cesium overlayers». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать