Photoelectron scattering in a p-GaN(Cs,O) photocathode

S. A. Rozhkov, V. V. Bakin, S. N. Kosolobov, H. E. Scheibler, A. S. Terekhov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференциирецензирование

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Photoelectron scattering in a p-GaN(Cs,O) photocathode was studied by photoelectron emission spectroscopy at low temperatures. It has been experimentally established that the transfer of photoelectrons from the bulk of a p-GaN(Cs,O) photocathode to vacuum is accompanied by the emission of a cascade of optical phonons in the bulk and at the GaN-vacuum interface. Based on how the high-energy features of the photoelectron energy distribution shift with the photon energy, we find m hh/m 0 = 2.3 ± 0.3.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012027
Число страниц7
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том993
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 10 апр 2018
Событие19th Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, RYCPS 2017 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 27 ноя 20171 дек 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Photoelectron scattering in a p-GaN(Cs,O) photocathode». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать