Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors

S. D. Baranovskii, A. V. Nenashev, J. O. Oelerich, S. H.M. Greiner, A. V. Dvurechenskii, F. Gebhard

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Физика и астрономия

Chemistry and Materials

Life Sciences