Percolation description of charge transport in amorphous oxide semiconductors

A. V. Nenashev, J. O. Oelerich, S. H.M. Greiner, A. V. Dvurechenskii, F. Gebhard, S. D. Baranovskii

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

The charge transport mechanism in amorphous oxide semiconductors (AOS) is a matter of controversial debates. Most theoretical studies so far neglected the percolation nature of the phenomenon. In this paper, a recipe for theoretical description of charge transport in AOSs is formulated using the percolation arguments. Comparison with the previous theoretical studies shows a superiority of the percolation approach. The results of the percolation theory are compared to experimental data obtained in various InGaZnO materials revealing parameters of the disorder potential in such AOS.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи125202
Число страниц8
ЖурналPhysical Review B
Том100
Номер выпуска12
DOI
СостояниеОпубликовано - 12 сен 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Percolation description of charge transport in amorphous oxide semiconductors». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать