Oxygen polyvacancies as conductive filament in zirconia: First principle simulation

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

3 Цитирования (Scopus)

Аннотация

The atomic and electronic structure of oxygen vacancy and polyvacancy in the cubic, tetragonal and monoclinic zirconium oxide were investigated using quantum-chemical density functional theory simulation. It is shown that the neutral oxygen vacancy in crystalline zirconia can act as electron and hole trap. An electron added to ZrO2 structure with the oxygen monovacancy has a bonding charge density character. The defect levels position as well as thermal and optical trap ionization energies are consisted with the previously defined experimentally values. Each subsequent vacancy is formed near the already existing one, and no more than 2 removed oxygen atoms are related to Zr atom. The levels from oxygen polyvacancies are distributed in the bandgap preferentially localized close to the monovacancy level. The ability of oxygen vacancy chain in crystalline ZrO2 to act as a conductive filament is discussed.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииSEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR
РедакторыD Misra, S DeGendt, M Houssa, K Kita, D Landheer
ИздательElectrochemical Society, Inc.
Страницы357-362
Число страниц6
Том80
Издание1
ISBN (электронное издание)9781607685395
ISBN (печатное издание)978-1-62332-470-4
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2017
Событие15th Symposium on Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics: In Memory of Samares Kar - 232nd ECS Meeting - National Harbor, Соединенные Штаты Америки
Продолжительность: 1 окт 20175 окт 2017

Серия публикаций

НазваниеECS Transactions
ИздательELECTROCHEMICAL SOC INC
Том80
ISSN (печатное издание)1938-5862

Конференция

Конференция15th Symposium on Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics: In Memory of Samares Kar - 232nd ECS Meeting
СтранаСоединенные Штаты Америки
ГородNational Harbor
Период01.10.201705.10.2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Oxygen polyvacancies as conductive filament in zirconia: First principle simulation». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Perevalov, T. V., & Islamov, D. R. (2017). Oxygen polyvacancies as conductive filament in zirconia: First principle simulation. В D. Misra, S. DeGendt, M. Houssa, K. Kita, & D. Landheer (Ред.), SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR (1 ред., Том 80, стр. 357-362). (ECS Transactions; Том 80). Electrochemical Society, Inc.. https://doi.org/10.1149/08001.0357ecst