Optical properties of Si nanocrystals formed with laser pulse annealing

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

5 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Nano- and femtosecond laser pulse annealings were applied for crystallization of thin amorphous Si films and amorphous Si nanoclusters in silicon-rich nitride and oxide films. Laser assisted formation of amorphous Si nanoclusters in the non-stoichiometric dielectric films was observed. Non-thermal effects in crystallization of amorphous Si by femtosecond annealing were supposed. This approach is applicable for the creation of dielectric films with Si nanoclusters on non-refractory substrates.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)11402-11405
Число страниц4
ЖурналMaterials Today: Proceedings
Том4
Номер выпуска11
DOI
СостояниеОпубликовано - 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Optical properties of Si nanocrystals formed with laser pulse annealing». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать