Optical Gain in Heavily Doped AlxGa1 – xN:Si Structures

P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, Dm E. Zakrevsky, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

Gain characteristics of heavily doped AlxGa1 – xN/AlN:Si structures with c x = 0.65 and 0.74 have been studied under pulsed optical pumping by Nd:YAG laser radiation at wavelength λ = 266 nm. The absolute values of the optical gain measured at spectral maximum of the room-temperature luminescence spectrum reach (0.5–6) × 103 сm–1 at an pumping power density of 8–600 kW/cm2. Cross sections of the radiative and donor–acceptor recombination are close to each other and exceed 1016 cm2.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)951-954
Число страниц4
ЖурналTechnical Physics Letters
Том45
Номер выпуска9
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 сен 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Optical Gain in Heavily Doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1 –</sub> <sub>x</sub>N:Si Structures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать