Observation of linear I-V curves on vertical GaAs nanowires with atomic force microscope

P. Geydt, P. A. Alekseev, M. Dunaevskiy, E. Lähderanta, T. Haggrén, J. P. Kakko, H. Lipsanen

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференциирецензирование

2 Цитирования (Scopus)

Аннотация

In this work we demonstrate the possibility of studying the current-voltage characteristics for single vertically standing semiconductor nanowires on standard AFM equipped by current measuring module in PeakForce Tapping mode. On the basis of research of eight different samples of p-doped GaAs nanowires grown on different GaAs substrates, peculiar electrical effects were revealed. It was found how covering of substrate surface by SiOx layer increases the current, as well as phosphorous passivation of the grown nanowires. Elimination of the Schottky barrier between golden cap and the top parts of nanowires was observed. It was additionally studied that charge accumulation on the shell of single nanowires affects its resistivity and causes the hysteresis loops on I-V curves.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012031
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том661
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 2 дек 2015
Опубликовано для внешнего пользованияДа
Событие17th Russian Youth Conference on Physics and Astronomy, PhysicA.SPb 2014 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 28 окт 201430 окт 2014

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ
  • 1.03.BU АСТРОНОМИЯ И АСТРОФИЗИКА
  • 1.06.DA БИОФИЗИКА

ГРНТИ

  • 29 ФИЗИКА

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Observation of linear I-V curves on vertical GaAs nanowires with atomic force microscope». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать