New Method of Porous Ge Layer Fabrication: Structure and Optical Properties

E. B. Gorokhov, K. N. Astankova, I. A. Azarov, V. A. Volodin, A. V. Latyshev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Porous germanium films were produced by selective removal of the GeO2 matrix from the GeO2<Ge–NCs> heterolayer in deionized water or HF. On the basis of Raman and infrared spectroscopy data it was supposed that a stable skeletal framework from agglomerated Ge nanoparticles (amorphous or crystalline) was formed after the selective etching of GeO2<Ge–NCs> heterolayers. The kinetics of air oxidation of amorphous porous Ge layers was investigated by scanning ellipsometry. Spectral ellipsometry allowed estimating the porosity of amorphous and crystalline porous Ge layers, which was ~70 and ~80%, respectively.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)628-631
Число страниц4
ЖурналSemiconductors
Том52
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мая 2018

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «New Method of Porous Ge Layer Fabrication: Structure and Optical Properties». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать