Monte Carlo simulation of roughening at step-terraced surfaces

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференции

Аннотация

GaAs thermal smoothing at temperatures T ≤ 650°C under conditions close to equilibrium yields surfaces with atomically smooth terraces separated by steps of monatomic height. At higher temperatures T ≥ 700°C, surface smoothing changes to roughening. In the present paper, thermal roughening of a step-terraced surface caused by atomic step flow around step pinning centers is studied using Monte-Carlo simulation. It is proved that the Schwöbel barrier is necessary for step bunching in the presence of step pinning centers. The lower limit of the Schwöbel barrier E S = 0.4 eV is estimated for the GaAs(001) surface.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012010
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том1199
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 17 апр 2019
Событие20th Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Optoand Nanoelectronics, RYCPS 2018 - St. Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 26 ноя 201830 ноя 2018

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Monte Carlo simulation of roughening at step-terraced surfaces». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать