Modeling of Quantum Transport and Single-Electron Charging in GaAs/AlGaAs-Nanostructures

O. A. Tkachenko, V. A. Tkachenko, Z. D. Kvon, D. V. Sheglov, Alexander L. Aseev

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаярецензирование

Аннотация

Various semiconductor devices created by molecular beam epitaxy and lithography were numerically modeled: a quantum point contact in the voltage gate-induced two-dimensional electron gas, a versatile tunable two-terminal quantum dot, a small three-terminal quantum dot, and ring interferometers. Three-dimensional electrostatics calculations, taking into account the design of structures, combined with the theories of Coulomb blockade and quantum ballistic transport, allowed explanation of the observed resistance features of nanodevices. Accumulated experience was used to design semiconductor artificial graphene.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииAdvances in Semiconductor Nanostructures
Подзаголовок основной публикацииGrowth, Characterization, Properties and Applications
РедакторыAV Latyshev, AV Dvurechenskii, AL Aseev
ИздательElsevier Science Inc.
Страницы131-155
Число страниц25
ISBN (электронное издание)9780128105139
ISBN (печатное издание)9780128105122
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Modeling of Quantum Transport and Single-Electron Charging in GaAs/AlGaAs-Nanostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Sheglov, D. V., & Aseev, A. L. (2017). Modeling of Quantum Transport and Single-Electron Charging in GaAs/AlGaAs-Nanostructures. В AV. Latyshev, AV. Dvurechenskii, & AL. Aseev (Ред.), Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications (стр. 131-155). Elsevier Science Inc.. https://doi.org/10.1016/B978-0-12-810512-2.00006-8