Microwave Absorption in 2D Topological Insulators with a Developed Edge States Network

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

3 Цитирования (Scopus)

Аннотация

A 2D HgTe quantum well is analyzed based on the assumption that the width fluctuations convert the system to a random mixture of domains with positive and negative energy gaps. The borders between ordinary and topological insulator phases form a network of the edge states covering the entire sample. The optical transitions within the edge states yield a 2D absorption. The qualitative consideration is based on the model of optical intraedge transitions in curved edge states together with percolation arguments.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи1800652
Число страниц5
ЖурналPhysica Status Solidi (B) Basic Research
Том256
Номер выпуска6
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 июн 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Microwave Absorption in 2D Topological Insulators with a Developed Edge States Network». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать