Memory Properties of SiO x- and SiN x-Based Memristors

V. A. Gritsenko, A. A. Gismatulin, O. M. Orlov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхобзорная статьярецензирование

Аннотация

Silicon oxide and silicon nitride are the two key dielectrics used in modern silicon devices. The memory properties of SiOx- and SiNx-based memristors obtained by plasma-enhanced chemical vapor deposition, pyrolysis, and high-frequency reactive sputtering are reviewed. The nitrides obtained by high-frequency reactive sputtering have the best memory properties: a memory window of 102, a memristor endurance of up to 109 cycles at the same memory window, and a memristor retention of up to 105 s at the same memory window.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)722-731
Число страниц10
ЖурналNanobiotechnology reports
Том16
Номер выпуска6
DOI
СостояниеОпубликовано - нояб. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.1.NS НАНОНАУКА И НАНОТЕХНОЛОГИИ
  • 2.08.DB БИОТЕХНОЛОГИЯ И ПРИКЛАДНАЯ МИКРОБИОЛОГИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Memory Properties of SiO x- and SiN x-Based Memristors». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать