Mechanism of stress induced leakage current in Si 3 N 4

V. A. Gritsenko, A. A. Gismatulin, A. P. Baraban, A. Chin

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Mechanism of stress induced leakage current in Si <sub>3</sub> N <sub>4</sub>». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Химические соединения

Технические дисциплины и материаловедение