Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon

Damir R. Islamov, V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, O. M. Orlov, G. Ya Krasnikov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › рецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Физика и астрономия