Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon

Damir R. Islamov, V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, O. M. Orlov, G. Ya Krasnikov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференции

1 Цитирования (Scopus)

Аннотация

We study the charge transport mechanism of electron via traps in thermal SiO2 on silicon. Electron transport is limited by phonon-assisted tunnelling between traps. Charge flowing leads to oxygen vacancies generation, and the leakage current increases. Long-time annealing at high temperatures decreased the leakage current to initial values due to oxygen vacancies recombination with interstitial oxygen. Taking into account results of ab initio simulations, we found that the oxygen vacancies act as electron traps in SiO2.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012003
Число страниц4
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том864
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 15 авг 2017

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать